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2023-07-13

高溫介電溫譜儀在電介質(zhì)材料工程中具有廣泛的應(yīng)用。它是一種專門用于測(cè)量電介質(zhì)材料在不同溫度下的介電性能的儀器。首先,高溫介電溫譜儀可用于研究電介質(zhì)材料的介電特性。通過在不同溫度下對(duì)電介質(zhì)樣品進(jìn)行介電常數(shù)、損耗因子和介電強(qiáng)度等參數(shù)的測(cè)量,可以了解材料在高溫環(huán)境下的電性能表現(xiàn)。這對(duì)于電介質(zhì)材料的設(shè)計(jì)、選擇和應(yīng)用至關(guān)重要。例如,在電力系統(tǒng)中,電介質(zhì)材料需要在高溫環(huán)境下承受較高的電場(chǎng)強(qiáng)度,因此了解材料的介電強(qiáng)度與溫度之間的關(guān)系非常重要。其次,還可用于評(píng)估電介質(zhì)材料的熱穩(wěn)定性和耐高溫性能...

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2023-07-12

電壓擊穿試驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制,采用人機(jī)對(duì)話方式,完成對(duì)絕緣介質(zhì)的工頻電壓擊穿,工頻耐壓試驗(yàn),主要適用于固體絕緣材料。并對(duì)實(shí)驗(yàn)過程中的各種數(shù)據(jù)快速、準(zhǔn)確地進(jìn)行采集、處理、存取、顯示、打印。該設(shè)備試驗(yàn)過程又可由單片機(jī)實(shí)現(xiàn)控制,試驗(yàn)結(jié)果顯示在液晶屏上,同時(shí)也可通過通訊口把數(shù)據(jù)傳給計(jì)算機(jī)由計(jì)算機(jī)控制試驗(yàn)過程及處理試驗(yàn)數(shù)據(jù)。由單片機(jī)控制有一個(gè)顯著的好處,因不用計(jì)算機(jī),使設(shè)備安裝使用簡(jiǎn)潔,接上一根電源線即可試驗(yàn)。功能:1、試驗(yàn)過程中可動(dòng)態(tài)繪制出試驗(yàn)曲線,試驗(yàn)的曲線可以多種顏色疊加對(duì)比;2...

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2023-07-12

概述:凝聚態(tài)物理學(xué)是研究由大量微觀粒子(原子、分子、離子、電子)組成的凝聚態(tài)物質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)、粒子間的相互作用、運(yùn)動(dòng)規(guī)律及其物質(zhì)性質(zhì)與應(yīng)用的科學(xué),是當(dāng)代材料科學(xué)的物理學(xué)基礎(chǔ)。凝聚態(tài)物理學(xué)研究的方向主要有:高溫超導(dǎo)及相關(guān)強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系的基本電子性質(zhì)、低維自旋和電荷系統(tǒng)、納米功能材料的基本電子性質(zhì)研究、自旋電子學(xué)材料基本性質(zhì)等,量子材料/超導(dǎo)材料/半金屬材料/異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料/超硬等都是凝聚態(tài)物理學(xué)研究的對(duì)象。綜合物性測(cè)試是凝聚態(tài)物理學(xué)的主要測(cè)試,包括電輸運(yùn)測(cè)試如:電阻率、微分電阻、霍爾系...

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2023-07-10

電輸運(yùn)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn):1.特殊的測(cè)試條件。一般條件下,被測(cè)樣品被放置在低溫(通常是超導(dǎo))及磁場(chǎng)環(huán)境中,其低溫zuidi可達(dá)0.1mK,磁場(chǎng)可高達(dá)16T。在jiduan條件下,磁場(chǎng)可達(dá)100T脈沖強(qiáng)磁場(chǎng),壓力可達(dá)100GPA。PPMS可以提供一般條件下的測(cè)試環(huán)境,在此環(huán)境下,測(cè)試電纜連線需考慮熱效應(yīng)及對(duì)測(cè)試結(jié)果的誤差因素。2.需要極小或極大電阻的測(cè)試。在超導(dǎo)條件下,被測(cè)樣品電阻可能低至nΩ級(jí)。而jiduan情況下,被測(cè)樣品電阻可能高達(dá)GΩ級(jí),PPMS內(nèi)置輸運(yùn)測(cè)試選件達(dá)不到要求。...

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2023-07-07

憶阻器憶阻器英文名為memristor,用符號(hào)M表示,與電阻R,電容C,電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件,它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶,其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能,是一種新一代高速存儲(chǔ)單元,通常稱為阻變存儲(chǔ)器(RRAM)。憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括:非易失存儲(chǔ)(Nonvolatilememory),邏輯運(yùn)算(Logiccomputing),以及類腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)算(Brain-inspiredneuromorphiccomputing)等。這三種截然不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)...

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2023-07-06

憶阻器英文名為memristor,用符號(hào)M表示,與電阻R,電容C,電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件,它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶,其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能,是一種新一代高速存儲(chǔ)單元,通常稱為阻變存儲(chǔ)器(RRAM)。憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括:非易失存儲(chǔ)(Nonvolatilememory),邏輯運(yùn)算(Logiccomputing),以及類腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)算(Brain-inspiredneuromorphiccomputing)等。這三種截然不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線,...

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2023-07-04

鐵電壓電分析儀儀器配置HuaceFE系列鐵電測(cè)試系統(tǒng)是目前市場(chǎng)上zuixian進(jìn)的設(shè)備,有著寬頻率響應(yīng)范圍及寬測(cè)試電壓范圍并且在世界鐵電測(cè)試領(lǐng)域其高測(cè)試精度能力shou屈一指。在±500V內(nèi)置電壓下,電滯回線測(cè)試頻率可高達(dá)500KHz;(本儀器測(cè)試指標(biāo)已經(jīng)超過進(jìn)口設(shè)備)此系統(tǒng)包含HuacePro基本鐵電管理測(cè)試軟件。此外還可外部擴(kuò)展電壓到4kV、10kV、20kV,HuaceFE主機(jī)在不改變樣品連接的情況下可執(zhí)行電滯回線,脈沖,漏電流,IV、CV、擊穿測(cè)試,也可...

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